物理百科知识点—离子束刻蚀讲解

我们国家物理方面的发展日新月异，在世界物理学中也占有一席之地，但是相比于欧美等国家，还是有一定的差距的，但是我们也不甘落后。下面请看学大专家总结的物理百科知识点—离子束刻蚀讲解。

离子束刻蚀

离子束刻蚀以离子束为刻蚀手段达到刻蚀目的的技术，其分辨率限制于粒子进入基底以及离子能量耗尽过程的路径范围。离子束最小直径约10nm，离子束刻蚀的结构最小可能不会小于10nm。目前聚焦离子束刻蚀的束斑可达100nm以下，最少的达到10nm，获得最小线宽12nm的加工结果。相比电子与固体相互作用，离子在固体中的散射效应较小，并能以较快的直写速度进行小于50nm的刻蚀，故而聚焦离子束刻蚀是纳米加工的一种理想方法。

此外，聚焦离子束技术的另一优点是在计算机控制下的无掩膜注入，甚至无显影刻蚀，直接制造各种纳米器件结构。但是，在离子束加工过程中，损伤问题比较突出，且离子束加工精度还不容易控制，控制精度也不够高。

原理：

利用辉光放电原理将氩气分解为氩离子，氩离子经过阳极电场的加速对样品表面进行物理轰击，以达到刻蚀的作用。把Ar气充入离子源放电室并使其电离形成等离子体，然后由栅极将离子呈束状引出并加速，具有一定能量的离子束进入工作室，射向固体表面轰击固体表面原子，使材料原子发生溅射，达到刻蚀目的，属纯物理刻蚀。

技术指标：

主要用于各种金属以及氧化物等复杂体系的刻蚀等，广泛应用于物理，生物，化学，材料，电子等领域。

离子能量：100 - 650 eV

束流密度：0.2 - 0.7 mA/cm2

刻蚀均匀性：±5% ( 4英寸 )

装片：一片6英寸，向下兼容任意规格样品

极限真空：8.5E-5 Pa( 45分钟从 atm 抽至 5E-4 Pa )

基底冷却温度：5 - 25 oC

样品台旋转：自转 9 rpm， 倾斜 0 - 90o

看完了上文物理百科知识点—离子束刻蚀讲解之后，也许对此你还存有疑问或者表示看不懂之类的，如果你真的对这个感兴趣，希望你能够查阅些资料来深入了解。